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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireMT53E256M32D2DS-053 WT:B
MT53E256M32D2DS-053 WT:B Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MT53E256M32D2DS-053 WT:B - Micron Technology Inc.

Fabricant Modèle de produit
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Fabricant
Micron Technology
Allelco Modèle de produit
32D-MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Modèle ECAD
Description des pièces
IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Description détaillée
Emballage
200-WFBGA
Fiche technique
MT53E256M32D2DS-053 WT:B.pdf
État RoHS
En stock: 6440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Micron Technology Inc. - MT53E256M32D2DS-053 WT:B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Micron Technology Inc. - MT53E256M32D2DS-053 WT:B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Micron Technology  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 1.1V  
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Package composant fournisseur 200-WFBGA (10x14.5)  
Séries -  
Package / Boîte 200-WFBGA  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 8Gbit  
Organisation de mémoire 256M x 32  
Interface mémoire -  
Format de mémoire DRAM  
Fréquence d'horloge 1.866 GHz  
Numéro de produit de base MT53E256  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B

Attributs du produit MT53E256M32D2DS-053 WT:B MT53E256M32D2DS-053 AUT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-046 IT:B
Modèle de produit MT53E256M32D2DS-053 WT:B MT53E256M32D2DS-053 AUT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-046 IT:B
Fabricant Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Emballer Tray Tray Tray Tray
Organisation de mémoire 256M x 32 256M x 32 256M x 32 256M x 32
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Interface mémoire - - - -
Format de mémoire DRAM DRAM DRAM DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 125°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC)
Séries - Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 -
Tension - Alimentation 1.1V 1.1V 1.1V 1.1V
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
Numéro de produit de base MT53E256 MT53E256 MT53E256 MT53E256
Package / Boîte 200-WFBGA 200-WFBGA 200-WFBGA 200-WFBGA
Type de mémoire Volatile Volatile Volatile Volatile
Package composant fournisseur 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5)
Fréquence d'horloge 1.866 GHz 1.866 GHz 1.866 GHz 2.133 GHz
Taille mémoire 8Gbit 8Gbit 8Gbit 8Gbit

Fiche technique MT53E256M32D2DS-053 WT:B PDF

Téléchargez MT53E256M32D2DS-053 WT:B PDF DataSheets et Documentation Micron Technology Inc. pour MT53E256M32D2DS-053 WT:B - Micron Technology Inc..

Assemblage / origine PCN
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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